仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
MEMS器件中的氮化铝(AlN)压电薄膜制备
主要技术指标：
1.600 W射频源； 2.2 kW直流源； 3.底电极可加热到800℃ 且持续时间大于30min； 4.反应腔内径为500mm； 5.溅射前腔内压力：≤10-7Torr； 6.偏置电压：10V－300V可调； 7.薄膜厚度最大为3微米（AlN），薄膜不均匀性：≤±5%
服务内容：
MEMS器件中的氮化铝(AlN)压电薄膜制备
服务典型成果：
MEMS器件中的氮化铝(AlN)压电薄膜制备
用户须知：
①450元/小时+②300元/次工艺＋③材料费: 50元/10nm(Au及合金、Pd)或75元/10nm(Pt) 或50元/100nm (其它材料)
收费标准：
面议