仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
具有制备超薄膜到厚膜的系列功能。可实现如下镀膜工艺方法：
1、单靶磁控溅射沉积均质膜
2、多靶磁控溅射沉积多层膜
3、双靶聚焦磁控溅射共沉积复合膜
4、反应磁控溅射沉积化合物膜
5、离子束溅射沉积（IBSD）
6、离子束直接沉积（IBD）
7、离子束辅助沉积（IBAD）
8、离子束混合
主要技术指标：
真空室大小为800mm700mm，真空由两台F1600分子泵获得，极限真空可达510-5Pa。配备了四个考夫曼型离子源，包括两个溅射源、一个低能辅助镀膜源和一个中能轰击源。溅射源可同时用于溅射沉积两种靶材；低能源既可用于样品表面的清洗、又可用于辅助镀膜和直接镀膜；中能源主要用于离子注入轰击制作过渡界面。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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