仪器详情
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功能/应用范围：
把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向样品表面撞击样品表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，属纯物理过程。
主要技术指标：
装片尺寸： 6英寸、4英寸、2英寸，向下兼容；
本底真空：5E-4Pa， 工作真空：2E-2Pa
水冷样品台温度：18.5℃。
离子能量：≤350eV
刻蚀效率：300ev下，Si刻蚀速率122.75A/min.
单片2英寸片刻蚀均匀性2%左右。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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